Справочник транзисторов. 2SB840L

 

Биполярный транзистор 2SB840L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB840L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB840L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB840L Datasheet (PDF)

 9.1. Size:152K  jmnic
2sb849.pdfpdf_icon

2SB840L

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

 9.2. Size:105K  inchange semiconductor
2sb849a.pdfpdf_icon

2SB840L

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 9.3. Size:192K  inchange semiconductor
2sb848.pdfpdf_icon

2SB840L

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB848DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:122K  inchange semiconductor
2sb849.pdfpdf_icon

2SB840L

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

Другие транзисторы... 2SB837 , 2SB837L , 2SB838 , 2SB838L , 2SB839 , 2SB839L , 2SB84 , 2SB840 , A1015 , 2SB841 , 2SB841L , 2SB842 , 2SB842L , 2SB843 , 2SB844 , 2SB845 , 2SB846 .

History: NR431HF | SD3866A

 

 
Back to Top

 


 
.