2SB846. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB846

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB846

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB846 даташит

 9.1. Size:152K  jmnic
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB846

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collec

 9.2. Size:105K  inchange semiconductor
 2sb849a.pdf pdf_icon

2SB846

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 9.3. Size:192K  inchange semiconductor
 2sb848.pdf pdf_icon

2SB846

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB848 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:122K  inchange semiconductor
 2sb849.pdf pdf_icon

2SB846

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB840L, 2SB841, 2SB841L, 2SB842, 2SB842L, 2SB843, 2SB844, 2SB845, BD140, 2SB848, 2SB849, 2SB849A, 2SB85, 2SB850, 2SB850A, 2SB851, 2SB852