Биполярный транзистор 2N1617-1
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1617-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
TO61
2N1617-1
Datasheet (PDF)
8.1. Size:22K semelab
2n1617.pdf 2N1617MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless
9.2. Size:51K philips
2n1613.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt
9.3. Size:64K central
2n1613 2n1711 2n1893.pdf 145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
9.4. Size:22K semelab
2n1616.pdf 2N1616MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless
9.5. Size:22K semelab
2n1618.pdf 2N1618SEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 2
9.6. Size:224K cdil
2n1613.pdf Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage (RBE
Другие транзисторы... 2N1613L
, 2N1613S
, 2N1614
, 2N1615
, 2N1616
, 2N1616-1
, 2N1616A
, 2N1617
, 2N5551
, 2N1617A
, 2N1618
, 2N1618-1
, 2N1618A
, 2N1619
, 2N161A
, 2N162
, 2N1620
.