Справочник транзисторов. 2SB875

 

Биполярный транзистор 2SB875 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB875
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB875

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB875 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:41K  panasonic
2sb873 e.pdfpdf_icon

2SB875

Transistor2SB873Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2For stroboscopeFeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Large collector current IC. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector

 9.2. Size:37K  panasonic
2sb873.pdfpdf_icon

2SB875

Transistor2SB873Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2For stroboscopeFeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Large collector current IC. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector

 9.3. Size:156K  jmnic
2sb870.pdfpdf_icon

2SB875

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB870 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD866 Low collector saturation voltage High collector current capability APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

 9.4. Size:216K  inchange semiconductor
2sb871.pdfpdf_icon

2SB875

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB871DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -20V(Min)(BR)CEOHigh Speed SwitchingLow Collector Saturation Voltage: V = -0.6V(Max)@I = -10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие транзисторы... 2SB871 , 2SB871A , 2SB872 , 2SB872A , 2SB873 , 2SB874 , 2SB874B , 2SB874C , TIP2955 , 2SB876 , 2SB877 , 2SB878 , 2SB879 , 2SB88 , 2SB880 , 2SB881 , 2SB882 .

History: 2SB840L | BU2508D | GD100

 

 
Back to Top

 


 
.