2SB877 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB877

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB877

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB877 даташит

 9.1. Size:41K  panasonic
 2sb873 e.pdf pdf_icon

2SB877

Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector

 9.2. Size:37K  panasonic
 2sb873.pdf pdf_icon

2SB877

Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector

 9.3. Size:156K  jmnic
 2sb870.pdf pdf_icon

2SB877

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB870 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD866 Low collector saturation voltage High collector current capability APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

 9.4. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb871.pdf pdf_icon

2SB877

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB871 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -20V(Min) (BR)CEO High Speed Switching Low Collector Saturation Voltage V = -0.6V(Max)@I = -10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB872, 2SB872A, 2SB873, 2SB874, 2SB874B, 2SB874C, 2SB875, 2SB876, BC549, 2SB878, 2SB879, 2SB88, 2SB880, 2SB881, 2SB882, 2SB883, 2SB884