Справочник транзисторов. 2SB947A

 

Биполярный транзистор 2SB947A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB947A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB947A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  jmnic
2sb947 2sb947a.pdfpdf_icon

2SB947A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB947 2SB947A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low-voltage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT2SB947 -40 VCBO Col

 8.1. Size:96K  panasonic
2sb947.pdfpdf_icon

2SB947A

Power Transistors2SB0947 (2SB947), 2SB0947A (2SB947A)Silicon PNP epitaxial planar typeFor low-voltage switcingUnit: mm Features10.00.2 4.20.25.50.2 2.70.2 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 3.10.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25CPar

 8.2. Size:217K  inchange semiconductor
2sb947.pdfpdf_icon

2SB947A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB947DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.6V(Max)@I = -7ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-voltage switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

 9.1. Size:47K  panasonic
2sb942.pdfpdf_icon

2SB947A

Power Transistors2SB942, 2SB942ASilicon PNP epitaxial planar typeFor low-frequency power amplificationComplementary to 2SD1267 and 2SD1267AUnit: mmFeatures10.0 0.2 4.2 0.2High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity5.5 0.2 2.7 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat sink

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N2916 | MPSA56G | 2SC3245A | 2N6987 | 2SD1701 | NZT6728 | 2SA557

 

 
Back to Top

 


 
.