Справочник транзисторов. 2SB964

 

Биполярный транзистор 2SB964 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB964
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB964 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:233K  nec
2sb962.pdfpdf_icon

2SB964

 9.2. Size:219K  nec
2sb963.pdfpdf_icon

2SB964

 9.3. Size:664K  nec
2sb963-z.pdfpdf_icon

2SB964

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB963-ZPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SB963-Z is designed for switching, especially in Hybrid 6.5 0.2Integrated Circuits. 5.0 0.22.3 0.20.5 0.14.4 0.2NoteNoteFEATURES 4 High Gain hFE = 2000 to 3000 Complement to 2SD1286-Z 1 2 3

 9.4. Size:43K  panasonic
2sb967.pdfpdf_icon

2SB964

Power Transistors2SB967Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mm6.5 0.12.3 0.15.3 0.1For low-frequency power amplification4.35 0.10.5 0.1Features1.0 0.10.1 0.050.93 0.1Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board0.5 0.10.75 0.1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)2.3 0.1 4.6 0.1Large collecto

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2N4939DSCM | KRC663U | DTC123JEB | 2SB443A | 2N5862 | 2SC765 | NKT108

 

 
Back to Top

 


 
.