Справочник транзисторов. 2SB965

 

Биполярный транзистор 2SB965 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB965
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB965

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB965 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
2sb965.pdfpdf_icon

2SB965

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB965DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = -0.55V(Typ)@I = -4.0ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD1288100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency po

 9.1. Size:233K  nec
2sb962.pdfpdf_icon

2SB965

 9.2. Size:219K  nec
2sb963.pdfpdf_icon

2SB965

 9.3. Size:664K  nec
2sb963-z.pdfpdf_icon

2SB965

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB963-ZPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) PACKAGE DRAWING (Unit: mm) DESCRIPTION The 2SB963-Z is designed for switching, especially in Hybrid 6.5 0.2Integrated Circuits. 5.0 0.22.3 0.20.5 0.14.4 0.2NoteNoteFEATURES 4 High Gain hFE = 2000 to 3000 Complement to 2SD1286-Z 1 2 3

Другие транзисторы... 2SB957 , 2SB958 , 2SB959 , 2SB96 , 2SB960 , 2SB962 , 2SB963 , 2SB964 , MJE340 , 2SB966 , 2SB967 , 2SB968 , 2SB969 , 2SB97 , 2SB970 , 2SB971 , 2SB972 .

History: RT188 | 2N4956-78 | 2SC5026 | HSB772S | CSC3199GR | CSC945Q | KSC3158Y

 

 
Back to Top

 


 
.