Справочник транзисторов. 2SB992

 

Биполярный транзистор 2SB992 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB992
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB992 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb992.pdf pdf_icon

2SB992

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1362Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb996.pdf pdf_icon

2SB992

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequencyamplifier output stage.ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb993.pdf pdf_icon

2SB992

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1363Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
 2sb991.pdf pdf_icon

2SB992

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB991DESCRIPTIONCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = -180V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0(Max.) @I = -0.5ACE(sat) CWide area of safe operationGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAdudio frequen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SD2123LB | 2SC765 | 2SB443A | 2N5862 | DTC123JEB | NKT108 | KRC663U

 

 
Back to Top

 


 
.