2SB993 - описание и поиск аналогов

 

2SB993. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB993

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB993

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB993 даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb993.pdf pdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1363 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb996.pdf pdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb992.pdf pdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 40W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1362 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High curre

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
 2sb991.pdf pdf_icon

2SB993

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB991 DESCRIPTION Collector-Emitter BreakdownVoltage- V = -180V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0(Max.) @I = -0.5A CE(sat) C Wide area of safe operation Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Adudio frequen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB986T, 2SB986U, 2SB987, 2SB988, 2SB989, 2SB99, 2SB991, 2SB992, 2SA1015, 2SB994, 2SB995, 2SB996, 2SB997, 2SB998, 2SB999, 2SC100, 2SC1000

 

 

 

 

↑ Back to Top
.