Справочник транзисторов. 2SB993

 

Биполярный транзистор 2SB993 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB993
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB993

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB993 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb993.pdfpdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB993DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1363Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb996.pdfpdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequencyamplifier output stage.ABSOL

 9.2. Size:216K  inchange semiconductor
2sb992.pdfpdf_icon

2SB993

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1362Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh curre

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
2sb991.pdfpdf_icon

2SB993

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB991DESCRIPTIONCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = -180V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0(Max.) @I = -0.5ACE(sat) CWide area of safe operationGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAdudio frequen

Другие транзисторы... 2SB986T , 2SB986U , 2SB987 , 2SB988 , 2SB989 , 2SB99 , 2SB991 , 2SB992 , 2SC2240 , 2SB994 , 2SB995 , 2SB996 , 2SB997 , 2SB998 , 2SB999 , 2SC100 , 2SC1000 .

History: 2N482 | D34C4

 

 
Back to Top

 


 
.