2SC1030C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1030C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC1030C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1030C даташит

 7.1. Size:44K  jmnic
 2sc1030.pdf pdf_icon

2SC1030C

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 8.1. Size:453K  sony
 2sc1034.pdf pdf_icon

2SC1030C

 8.2. Size:181K  inchange semiconductor
 2sc1034.pdf pdf_icon

2SC1030C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1024, 2SC1025, 2SC1026, 2SC1029, 2SC103, 2SC1030, 2SC1030A, 2SC1030B, 2SD1047, 2SC1031, 2SC1032, 2SC1033, 2SC1033A, 2SC1034, 2SC1035, 2SC1036, 2SC1037