2SC1055H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1055H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SC1055H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1055H даташит

 8.1. Size:188K  wingshing
 2sc1050.pdf pdf_icon

2SC1055H

Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC1050 GENERAL DESCRIPTION Silicon NPN high frequency, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose TO-3 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value VBE = 0V VCESM - 300 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO - 250 V Collector current

 8.2. Size:159K  jmnic
 2sc1050.pdf pdf_icon

2SC1055H

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1050 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For use in audio and general purpose applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL

 8.3. Size:170K  jmnic
 2sc1051.pdf pdf_icon

2SC1055H

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1051 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation APPLICATIONS For low frequency power amplifier and large power switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 8.4. Size:176K  inchange semiconductor
 2sc1050.pdf pdf_icon

2SC1055H

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1050 DESCRIPTION With TO-3 Package High breakdown voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Silicon NPN high frequency,high power transistors in a plastic envelope,primarily for use in audio and general purpose ABSOLUTE MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC105, 2SC1050, 2SC1051, 2SC1051L, 2SC1052, 2SC1053, 2SC1054, 2SC1055, 2N4401, 2SC1056, 2SC1057, 2SC1058, 2SC1059, 2SC106, 2SC1060, 2SC1060A, 2SC1061