2SC1119 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1119

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для 2SC1119

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1119 даташит

 8.1. Size:142K  jmnic
 2sc1116.pdf pdf_icon

2SC1119

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1116 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation APPLICATIONS For audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO

 8.2. Size:176K  inchange semiconductor
 2sc1115.pdf pdf_icon

2SC1119

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1115 DESCRIPTION With TO-3 Package High voltage Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 8.3. Size:177K  inchange semiconductor
 2sc1111.pdf pdf_icon

2SC1119

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1111 DESCRIPTION With TO-3 Package Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 8.4. Size:176K  inchange semiconductor
 2sc1112.pdf pdf_icon

2SC1119

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1112 DESCRIPTION With TO-3 Package Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1113, 2SC1114, 2SC1115, 2SC1116, 2SC1116A, 2SC1117, 2SC1117H, 2SC1118, 9014, 2SC112, 2SC1120, 2SC1121, 2SC1122, 2SC1122A, 2SC1123, 2SC1124, 2SC1124-1