Биполярный транзистор 2SC1162D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1162D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 16
Корпус транзистора: TO126
2SC1162D Datasheet (PDF)
2sc1162.pdf
2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current
2sc1162.pdf
2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG
2sc1162.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package
2sc1162.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base
2sc1162.pdf
2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100
2sc1162.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050