Биполярный транзистор 2N1659A-13 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1659A-13
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO13
Аналоги (замена) для 2N1659A-13
2N1659A-13 Datasheet (PDF)
sfp085n165c3 sfb082n165c3.pdf
SFP085N165C3, SFB082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Teste
sfw082n165c3.pdf
SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan
Другие транзисторы... 2N1655 , 2N1656 , 2N1657 , 2N1658 , 2N1658-13 , 2N1658A-13 , 2N1659 , 2N1659-13 , 2SB817 , 2N166 , 2N1660 , 2N1661 , 2N1662 , 2N1663 , 2N1664 , 2N1665 , 2N1666 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050