Биполярный транзистор 2SC1315 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC1315
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO39
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC1315 Datasheet (PDF)
2sc1318a e.pdf

Transistor2SC1318ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA720A5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collec
2sc1317 e.pdf

Transistor2SC1317, 2SC1318Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA719 and 2SA7205.0 0.2 4.0 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA719 and 2SA720.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SC1317 30
2sc1317 2sc1318.pdf

Transistors2SC1317, 2SC1318Silicon NPN epitaxial planer typeUnit: mmFor low-frequency power amplification and driver amplification 5.00.2 4.00.2Complementary to 2SA719 and 2SA720 Features0.70.1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Complementary pair with 2SA719 and 2SA720 Absolute Maximum Ratings Ta = 25CParameter Symbol Rating Unit 0.45+0.15
2sc1318a.pdf

2SC1318A 0.5 A, 80 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Collector output capacitance Cob=11 pF (TYP), 20 pF (MAX) G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE(1) A DProduct-Rank 2SC1318A-Q 2SC1318A-R 2SC1318A-S MillimeterREF
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FT023 | DDTA124GCA | GES5306 | BDY57A | 3DG12 | BD437G | MJ11028
History: FT023 | DDTA124GCA | GES5306 | BDY57A | 3DG12 | BD437G | MJ11028



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305