Биполярный транзистор 2SC136 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC136
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO18
2SC136 Datasheet (PDF)
2sc1360.pdf
Transistor2SC1360, 2SC1360ASilicon NPN epitaxial planer typeFor intermadiate frequency amplification of TV imageUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Large collector power dissipation PC.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SC1360 50VCBO Vbase voltage 2SC1360A 60Collector to 2S
2sc1360 e.pdf
Transistor2SC1360, 2SC1360ASilicon NPN epitaxial planer typeFor intermadiate frequency amplification of TV imageUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Large collector power dissipation PC.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SC1360 50VCBO Vbase voltage 2SC1360A 60Collector to 2S
2sc1360-a 3da1360-a.pdf
2SC1360(3DA1360) 2SC1360A(3DA1360A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Picture IF amplifier . :, Features: High f , large P . T C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SC1360 50 VCBO V 2SC1360A 60 2SC1360
2sc1367.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1367DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
2sc1368.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1368DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 1.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 25V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.AB
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050