2N1676 - описание и поиск аналогов

 

2N1676. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1676

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 4 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1676

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1676 даташит

 9.1. Size:275K  general electric
 2n167.pdf pdf_icon

2N1676

 9.2. Size:152K  comset
 2n1671b 2n1671 2n1671a.pdf pdf_icon

2N1676

2N1671 2N1671A 2N1671B PN BAR-TYPE SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS The 2N1671, 2N1671A AND 2N1671B are mounted in TO-5 metal package. They are designed for medium power switching, oscillator and pulse timing circuit. Highly Stable Negative Resistance and Firing Voltage Low Firing Current High Pulse Curent Capabilities Simplified Circuit Design Compliance

 9.3. Size:53K  advanced-semi
 2n1671.pdf pdf_icon

2N1676

UNIJUNCTION TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N1671 is a Unijunction PACKAGE STYLE TO-18 (MOD) Transistor Used in General Purpose Pulse, Timing, Sense and Trigger Applications. MAXIMUM RATINGS I 2.0 A (P LSED) V 30 V P 450 mW @ T = 25 C T -65 C to +140 C T -65 C to +150 C 1 = E I ER 2 = BASE 4 = BASE 255 C/W CHARACTERISTICS = 25 C SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICA

Другие транзисторы: 2N1669, 2N167, 2N1670, 2N1672, 2N1672A, 2N1673, 2N1674, 2N1675, BC556, 2N1677, 2N1678, 2N1679, 2N167A, 2N168, 2N1680, 2N1681, 2N1682

 

 

 

 

↑ Back to Top
.