Справочник транзисторов. 2SC1416

 

Биполярный транзистор 2SC1416 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1416
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
   Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SC1416

 

 

2SC1416 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:30K  wingshing
2sc1413a.pdf

2SC1416

NPN TRIPLE DIFFUSED 2SC1413A PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS(No Damper Diode) TO-3 High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) High Speed SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25CC)CCCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current

 8.2. Size:205K  inchange semiconductor
2sc1413a.pdf

2SC1416
2SC1416

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1413ADESCRIPTIONHigh Collector-base breakdown voltage:1500VLow saturation voltage@5ALarge area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for the horizontal output stage inpower-transformer-less television receivers.ABSOLUTE MAXIMU

 8.3. Size:185K  inchange semiconductor
2sc1418.pdf

2SC1416
2SC1416

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1418DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsCar radio,car stereo output stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 8.4. Size:127K  inchange semiconductor
2sc1413.pdf

2SC1416
2SC1416

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1413 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS For TV horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDI

 8.5. Size:185K  inchange semiconductor
2sc1419.pdf

2SC1416
2SC1416

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1419DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsCar radio,car stereo output stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы... 2SC1412 , 2SC1413 , 2SC1413A , 2SC1413AH , 2SC1414 , 2SC1414F , 2SC1415 , 2SC1415F , TIP36C , 2SC1416A , 2SC1417 , 2SC1418 , 2SC1419 , 2SC142 , 2SC1420 , 2SC1421 , 2SC1422 .

 

 
Back to Top