2SC1447. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC1447
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SC1447
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC1447 даташит
2sc1447.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1447 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Car radio,car stereo output stage amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U
2sc1444.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1444 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 8
2sc1441.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1441 DESCRIPTION With TO-3 Package High voltage Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage
2sc1449.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1449 DESCRIPTION High Collector Current I = 2.0A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 35V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. AB
Другие транзисторы... 2SC1442 , 2SC1443 , 2SC1444 , 2SC1445 , 2SC1446 , 2SC1446P , 2SC1446Q , 2SC1446R , A1941 , 2SC1448 , 2SC1448A , 2SC1449 , 2SC1449K , 2SC1449L , 2SC1449M , 2SC1449N , 2SC144A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403