Справочник транзисторов. 2SC150H

 

Биполярный транзистор 2SC150H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC150H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC150H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:123K  nec
2sc1505 2sc1506 2sc1507.pdfpdf_icon

2SC150H

 8.2. Size:52K  nec
2sc1505.pdfpdf_icon

2SC150H

Silicon Power Transistor2SC1505NPN 2SC1505 (1.5 W)

 8.3. Size:50K  panasonic
2sc1509 e.pdfpdf_icon

2SC150H

Transistor2SC1509Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA7775.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

 8.4. Size:47K  panasonic
2sc1509.pdfpdf_icon

2SC150H

Transistor2SC1509Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA7775.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N3519 | 2N1196 | 2N4355 | 2SC2959 | 2SA909 | 2SA1480E | 2SC4321

 

 
Back to Top

 


 
.