Справочник транзисторов. 2SC1516

 

Биполярный транзистор 2SC1516 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1516
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для 2SC1516

 

 

2SC1516 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  inchange semiconductor
2sc1516.pdf

2SC1516
2SC1516

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1516DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 1.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.AB

 8.1. Size:51K  panasonic
2sc1518 e.pdf

2SC1516
2SC1516

Transistor2SC1518Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency bias oscillation of tape recordersUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Satisfactory operation performances and high efficiency with alow-voltage power supply.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol

 8.2. Size:47K  panasonic
2sc1518.pdf

2SC1516
2SC1516

Transistor2SC1518Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency bias oscillation of tape recordersUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Satisfactory operation performances and high efficiency with alow-voltage power supply.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol

 8.3. Size:43K  hitachi
2sc1514.pdf

2SC1516

 8.4. Size:28K  hitachi
2sc1515.pdf

2SC1516
2SC1516

2SC1515(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationHigh voltage switchingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC1515 (K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCES 200 VVCEO 150 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 50 mACollector power dissipat

 8.5. Size:117K  inchange semiconductor
2sc1514.pdf

2SC1516
2SC1516

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1514 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) Good Linearity of hFE Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for use in high frequency high voltage amplifier and TV viedo output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top