2SC1676. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1676

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2SC1676

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1676 даташит

 8.1. Size:61K  toshiba
 2sc1678.pdf pdf_icon

2SC1676

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:298K  nec
 2sc1674.pdf pdf_icon

2SC1676

 8.3. Size:42K  nec
 2sc1675.pdf pdf_icon

2SC1676

 8.4. Size:78K  secos
 2sc1674.pdf pdf_icon

2SC1676

2SC1674 0.02 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Switching and Amplification G H Emitter Collector Base J CLASSIFICATION OF hFE A D Millimeter REF. Min. Max. Product-Rank 2SC1674-Y 2SC1674-GR 2SC1674-BL B A 4.40 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1674, 2SC1674K, 2SC1674L, 2SC1674M, 2SC1675, 2SC1675K, 2SC1675L, 2SC1675M, 2SC1815, 2SC1677, 2SC1678, 2SC1679, 2SC168, 2SC1680, 2SC1681, 2SC1682, 2SC1683