2SC1683 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC1683 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC1683
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SC1683

2SC1683 Datasheet (PDF)

..1. Size:39K no
2sc1683.pdf

..2. Size:189K inchange semiconductor
2sc1683.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1683DESCRIPTIONSilicon NPN triple diffused mesaHigh breakdown voltageLarge collector dissipationComplementary pair with 2SA843100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAF power amplifierColor TV vertical deflection outputABSO

8.1. Size:56K panasonic
2sc1688 e.pdf

Transistor2SC1688Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesSmall common emitter reverse transfer capacitance Cre.High transition frequency fT.Center at the emitter pin.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 50 V1.27 1.27

8.2. Size:55K no
2sc1684.pdf