2SC1727. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC1727

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC1727

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1727 даташит

 8.1. Size:54K  no
2sc1723.pdfpdf_icon

2SC1727

 8.2. Size:51K  no
2sc1722.pdfpdf_icon

2SC1727

 8.3. Size:375K  sony
2sc1728 2sc1760.pdfpdf_icon

2SC1727

 8.4. Size:184K  inchange semiconductor
2sc1723.pdfpdf_icon

2SC1727

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1723 DESCRIPTION Silicon NPN triple diffused LTP High breakdown voltage Large collector dissipation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency high voltage power amplifier TV power supply drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие транзисторы: 2SC172, 2SC1720, 2SC1721, 2SC1722, 2SC1723, 2SC1724, 2SC1725, 2SC1726, D882P, 2SC1728, 2SC1729, 2SC172A, 2SC173, 2SC1730, 2SC1731, 2SC1732, 2SC1733