Справочник транзисторов. 2SC1757D

 

Биполярный транзистор 2SC1757D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1757D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC1757D

 

 

2SC1757D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:53K  sanyo
2sc1755.pdf

2SC1757D
2SC1757D

Ordering number:EN429ENPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC1755TV Chroma, Video, Audio Output ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2010C[2SC1755]JEDEC : TO-220AB 1 : BaseEIAJ : SC-46 2 : Collector3 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 300 VCollector-to-Emitter

 8.2. Size:40K  sanyo
2sc1756.pdf

2SC1757D
2SC1757D

 8.3. Size:181K  jmnic
2sc1755.pdf

2SC1757D
2SC1757D

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1755 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage APPLICATIONS For TV chroma,video ,audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base volt

 8.4. Size:184K  jmnic
2sc1756.pdf

2SC1757D
2SC1757D

JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC1756 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage APPLICATIONS For TV chroma,video ,audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base volta

 8.5. Size:196K  inchange semiconductor
2sc1755.pdf

2SC1757D
2SC1757D

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1755DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 300V(Min)(BR)CEODC Current Gain-: h = 40-200 @I = 10mA, V = 10VFE C CEHigh Current-Gain Bandwidth ProductMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV chroma, video , audio outputapplications.A

 8.6. Size:187K  inchange semiconductor
2sc1756.pdf

2SC1757D
2SC1757D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1756DESCRIPTIONHigh breakdown voltageLarge collector dissipation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAF output of color TV for video outputAF output of B/W TVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC5785

 

 
Back to Top