Биполярный транзистор 2SC1760 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1760
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 98
Корпус транзистора: TO202
2SC1760 Datasheet (PDF)
2sc1766.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-89-3L 2SC1766 TRANSISTOR (NPN)1. BASEFEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Speed Switching Time3. EMITTER Low Collector-emitter saturation voltageAPPLICATIONS Power AmplifierMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector
2sc1766.pdf
2SC1766 SOT-89-3L TRANSISTOR(NPN)FEATURES 1. BASE Small Flat Package2. COLLECTOR High Speed Switching Time Low Collector-emitter saturation voltage 3. EMITTER APPLICATIONS Power AmplifierMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage
2sc1766.pdf
FM120-M WILLASTHRU2SC1766SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors FM1200-M1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProducPackage outlineFeaturesTRANSISTOR (NPN) Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOT-89 FEATURES SOD-123H Low profile surface
2sc1766gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD2SC1766GPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 2 AmpereAPPLICATION* Power amplifier .FEATURE* Small flat package. (SC-62/SOT-89)SC-62/SOT-89* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(I =-1A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)C* PC= 1.0 to 2.0W (mounted on ceramic substrate).4.6MAX. 1.6MAX.* High sat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050