2SC182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC182

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SC182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC182 даташит

 0.1. Size:69K  wingshing
 2sc1827.pdf pdf_icon

2SC182

2SC1827 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SA769 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junctio

 0.2. Size:146K  jmnic
 2sc1827.pdf pdf_icon

2SC182

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1827 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA769 Collector current IC=4A Collector dissipation PC=30W@TC=25 APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO

 0.3. Size:179K  inchange semiconductor
 2sc1828.pdf pdf_icon

2SC182

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1828 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 8

 0.4. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc1826.pdf pdf_icon

2SC182

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1826 DESCRIPTION High breakdown voltage Large collector dissipation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1815O, 2SC1815Y, 2SC1816, 2SC1816H, 2SC1817, 2SC1818, 2SC1819, 2SC181H, BC557, 2SC1820, 2SC1821, 2SC1822, 2SC1823, 2SC1824, 2SC1825, 2SC1826, 2SC1827