Биполярный транзистор 2N174 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N174
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO36
2N174 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1726 , 2N1727 , 2N1728 , 2N1729 , 2N173 , 2N1730 , 2N1731 , 2N1732 , 8050 , 2N1742 , 2N1743 , 2N1744 , 2N1745 , 2N1746 , 2N1747 , 2N1748 , 2N1748A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050