Биполярный транзистор 2SC1923O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1923O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
2SC1923O Datasheet (PDF)
2sc1923.pdf
2SC1923 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC1923 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.7 pF (typ.) Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 MHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltag
2sc1923.pdf
2SC1923 0.02A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES AD General purpose switching and amplification. BCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SC1923-O 2SC1923-Y E CFRange 70~140 100~200G HEmitterMARKING CollectorBase JC1923
2sc1923.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 2SC1923 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base V
2sc1923.pdf
DIP Type TransistorsNPN Transistors2SC1923Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features Collector Current Capability IC=20mA Collector Emitter Voltage VCEO=30V0.60 Max General Purpose Switching Application0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Collector1.272.54 3.Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050