Справочник транзисторов. 2SC1976

 

Биполярный транзистор 2SC1976 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC1976
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SC1976

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1976 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:37K  no
 2sc1975.pdf pdf_icon

2SC1976

 8.2. Size:37K  no
 2sc1974.pdf pdf_icon

2SC1976

 8.3. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc1975.pdf pdf_icon

2SC1976

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1975DESCRIPTIONCollector-Base Breakdown Voltage: V =160V(Min)(BR)CBOWithstands worst overload conditions.100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign for used in transceiver power output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
 2sc1971.pdf pdf_icon

2SC1976

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1971DESCRIPTIONHigh Power Gain-: G 7dB, P = 6W; V = 13.5Vpe O CEHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for RF power amplifiers on VHF band mobile radioapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC1969 , 2SC197 , 2SC1970 , 2SC1971 , 2SC1972 , 2SC1973 , 2SC1974 , 2SC1975 , A733 , 2SC1977 , 2SC1978 , 2SC198 , 2SC1980 , 2SC1981 , 2SC1981S , 2SC1982 , 2SC1982S .

 

 
Back to Top

 


 
.