2SC1987 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1987  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1987

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1987 даташит

 8.1. Size:37K  panasonic
 2sc1980.pdf pdf_icon

2SC1987

Transistor 2SC1980 Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-noise amplification Unit mm Complementary to 2SA921 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to emitt

 8.2. Size:41K  panasonic
 2sc1980 e.pdf pdf_icon

2SC1987

Transistor 2SC1980 Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-noise amplification Unit mm Complementary to 2SA921 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to emitt

 8.3. Size:64K  wingshing
 2sc1983.pdf pdf_icon

2SC1987

 8.4. Size:83K  sanken-ele
 2sc1985 2sc1986.pdf pdf_icon

2SC1987

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1981S, 2SC1982, 2SC1982S, 2SC1983, 2SC1984, 2SC1984A, 2SC1985, 2SC1986, TIP35C, 2SC1988, 2SC1989, 2SC198A, 2SC199, 2SC1990, 2SC1991, 2SC1992, 2SC1993