2SC2000. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC2000
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC2000
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC2000 даташит
8.4. Size:212K mcc
2sc2001-m.pdf 
MCC 2SC2001-M Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC2001-L CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC2001-K Fax (818) 701-4939 Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range -55
8.5. Size:212K mcc
2sc2001-l.pdf 
MCC 2SC2001-M Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC2001-L CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC2001-K Fax (818) 701-4939 Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range -55
8.6. Size:212K mcc
2sc2001-k.pdf 
MCC 2SC2001-M Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC2001-L CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC2001-K Fax (818) 701-4939 Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range -55
8.8. Size:473K secos
2sc2001.pdf 
2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G H hFE(IC=100mA) 200(Typ) VCE(sat)(700mA) 0.2V(Typ) Emitter J Collector Base A D CLASSIFICATION OF hFE Millimeter B REF. Product-Rank 2SC2001-M 2S
8.9. Size:797K jiangsu
2sc2001.pdf 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA) 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev
8.10. Size:226K lge
2sc2001.pdf 
2SC2001(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High hFE and low VCE(sat) hFE(IC=100mA) 200(Typ) VCE(sat)(700mA) 0.2V (Typ) Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base V
Другие транзисторы: 2SC1994, 2SC1995, 2SC1996, 2SC1997, 2SC1998, 2SC1999, 2SC20, 2SC200, S9013, 2SC2001, 2SC2002, 2SC2003, 2SC2008, 2SC2009, 2SC201, 2SC2010, 2SC2011
