Справочник транзисторов. 2SC2001

 

Биполярный транзистор 2SC2001 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC2001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SC2001

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  nec
2sc2001.pdfpdf_icon

2SC2001

 ..2. Size:1147K  no
2sc2001.pdfpdf_icon

2SC2001

 ..3. Size:473K  secos
2sc2001.pdfpdf_icon

2SC2001

2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G HhFE(IC=100mA)200(Typ) VCE(sat)(700mA)0.2V(Typ) EmitterJCollectorBase A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter BREF.Product-Rank 2SC2001-M 2S

 ..4. Size:797K  jiangsu
2sc2001.pdfpdf_icon

2SC2001

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev

Другие транзисторы... 2SC1995 , 2SC1996 , 2SC1997 , 2SC1998 , 2SC1999 , 2SC20 , 2SC200 , 2SC2000 , 8550 , 2SC2002 , 2SC2003 , 2SC2008 , 2SC2009 , 2SC201 , 2SC2010 , 2SC2011 , 2SC2012 .

History: 2SD1904R | 2SC3150M | ECG186A | NB323H

 

 
Back to Top

 


 
.