2SC2020 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC2020 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SC2020
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

Аналог (замена) для 2SC2020

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC2020 Datasheet (PDF)

..1. Size:137K sony
2sc2020.pdf pdf_icon

8.1. Size:309K 1
2sc2021 2sc4038.pdf pdf_icon

8.2. Size:313K 1
2sc2021m 2sc4010.pdf pdf_icon

8.3. Size:35K nec
2sc2026.pdf pdf_icon

8.4. Size:309K rohm
2sc2021.pdf pdf_icon

8.5. Size:66K fuji
2sc2028.pdf pdf_icon

8.6. Size:23K sanken-ele
2sc2023.pdf pdf_icon

2SC2023Silicon NPN Triple Diffused Planar TransistorApplication : Series Regulator, Switch, and General Purpose Electrical Characteristics External Dimensions MT-25(TO220) Absolute maximum ratings (Ta=25C) (Ta=25C)Symbol 2SC2023 Symbol Conditions 2SC2023Unit Unit0.24.80.210.20.12.0VCBO 300 ICBO VCB=300V 1.0maxV mAVCEO 300 IEBO VEB=6V 1.0maxV mAVEBO 6

8.7. Size:184K inchange semiconductor
2sc2022.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2022DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 300(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

8.8. Size:184K inchange semiconductor
2sc2023.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2023DESCRIPTIONSilicon NPN triple diffused planar transistorCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 300(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMU

8.9. Size:175K inchange semiconductor
2sc2026.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC2026DESCRIPTIONLow NoiseNF= 3.0dB TYP. @ f= 500MHzHigh Power GainG = 15dB TYP. @ f= 500MHzpeHigh Gain Bandwidth Productf = 2.0GHz TYP.T100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise amplifiers in the VHF

8.10. Size:177K inchange semiconductor
2sc2027.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2027DESCRIPTIONWith TO-3 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for color TV horizontal deflection driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBO

8.11. Size:184K inchange semiconductor
2sc2028.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2028DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие транзисторы... 2SC2011 , 2SC2012 , 2SC2013 , 2SC2014 , 2SC2017 , 2SC2018 , 2SC2019 , 2SC202 , 2SA1015 , 2SC2021 , 2SC2022 , 2SC2023 , 2SC2024 , 2SC2025 , 2SC2026 , 2SC2027 , 2SC2028 .