2SC2029 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC2029 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SC2029
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220

Аналог (замена) для 2SC2029

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC2029 Datasheet (PDF)

8.1. Size:309K 1
2sc2021 2sc4038.pdf pdf_icon

8.2. Size:313K 1
2sc2021m 2sc4010.pdf pdf_icon

8.3. Size:35K nec
2sc2026.pdf pdf_icon

8.4. Size:309K rohm
2sc2021.pdf pdf_icon

8.5. Size:66K fuji
2sc2028.pdf pdf_icon

8.6. Size:137K sony
2sc2020.pdf pdf_icon

8.7. Size:23K sanken-ele
2sc2023.pdf pdf_icon

2SC2023Silicon NPN Triple Diffused Planar TransistorApplication : Series Regulator, Switch, and General Purpose Electrical Characteristics External Dimensions MT-25(TO220) Absolute maximum ratings (Ta=25C) (Ta=25C)Symbol 2SC2023 Symbol Conditions 2SC2023Unit Unit0.24.80.210.20.12.0VCBO 300 ICBO VCB=300V 1.0maxV mAVCEO 300 IEBO VEB=6V 1.0maxV mAVEBO 6

8.8. Size:184K inchange semiconductor
2sc2022.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2022DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 300(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

8.9. Size:184K inchange semiconductor
2sc2023.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2023DESCRIPTIONSilicon NPN triple diffused planar transistorCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 300(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMU

8.10. Size:175K inchange semiconductor
2sc2026.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC2026DESCRIPTIONLow NoiseNF= 3.0dB TYP. @ f= 500MHzHigh Power GainG = 15dB TYP. @ f= 500MHzpeHigh Gain Bandwidth Productf = 2.0GHz TYP.T100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise amplifiers in the VHF

8.11. Size:177K inchange semiconductor
2sc2027.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2027DESCRIPTIONWith TO-3 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for color TV horizontal deflection driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBO

8.12. Size:184K inchange semiconductor
2sc2028.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2028DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие транзисторы... 2SC2021 , 2SC2022 , 2SC2023 , 2SC2024 , 2SC2025 , 2SC2026 , 2SC2027 , 2SC2028 , 2SD1555 , 2SC203 , 2SC2031 , 2SC2032 , 2SC2033 , 2SC2034 , 2SC2035 , 2SC2036 , 2SC2037 .