2N1768 - описание и поиск аналогов

2N1768. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1768

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 175 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO57

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам