Биполярный транзистор 2N1769 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1769
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 175 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO57
2N1769 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1759 , 2N176 , 2N1760 , 2N1761 , 2N1762 , 2N1763 , 2N1764 , 2N1768 , NJW0281G , 2N1779 , 2N178 , 2N1780 , 2N1781 , 2N1782 , 2N1783 , 2N1784 , 2N1785 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050