2N1779 - описание и поиск аналогов

 

2N1779. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1779

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO46

 Аналоги (замена) для 2N1779

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1779 даташит

 9.1. Size:57K  central
 2n1770a.pdf pdf_icon

2N1779

SCRs (Continued) IT (AMPS) 8.0 10 12 o @ TC ( C) 90 100 100 90 90 ITSM (AMPS) 90 100 100 100 120 CASE TO-220 TO-64 TO-220** VRRM (VOLTS) 25 2N1770,A 2N4167 50 2N1771,A 2N4168 100 2N1772,A 2N4169 150 2N1773,A 200 CS220-8B 2N1774,A 2N4170 CS220-10B CS220-12B 250 2N1775,A 300 2N1776,A 2N4171 400 CS220-8D 2N1777,A 2N4172 CS220-10D CS220-12D 500 2N1778,A 2N4173 600 CS220-8M 2N2619

Другие транзисторы: 2N176, 2N1760, 2N1761, 2N1762, 2N1763, 2N1764, 2N1768, 2N1769, 2SD669A, 2N178, 2N1780, 2N1781, 2N1782, 2N1783, 2N1784, 2N1785, 2N1786

 

 

 

 

↑ Back to Top
.