Справочник транзисторов. 2N1779

 

Биполярный транзистор 2N1779 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1779
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO46
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1779 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:57K  central
 2n1770a.pdf pdf_icon

2N1779

SCRs (Continued)IT (AMPS) 8.0 10 12o@ TC ( C) 90 100 100 90 90ITSM (AMPS) 90 100 100 100 120CASE TO-220 TO-64 TO-220**VRRM (VOLTS)25 2N1770,A 2N416750 2N1771,A 2N4168100 2N1772,A 2N4169150 2N1773,A200 CS220-8B 2N1774,A 2N4170 CS220-10B CS220-12B250 2N1775,A300 2N1776,A 2N4171400 CS220-8D 2N1777,A 2N4172 CS220-10D CS220-12D500 2N1778,A 2N4173600 CS220-8M 2N2619

Другие транзисторы... 2N176 , 2N1760 , 2N1761 , 2N1762 , 2N1763 , 2N1764 , 2N1768 , 2N1769 , TIP2955 , 2N178 , 2N1780 , 2N1781 , 2N1782 , 2N1783 , 2N1784 , 2N1785 , 2N1786 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.