Биполярный транзистор 2SC2148 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2148
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92
2SC2148 Datasheet (PDF)
2sc2148 2sc2149.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC2148, 2SC2149MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIERNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORDESCRIPTIONThe 2SC2148, 2SC2149 are economical microwave transistorsPACKAGE DIMENSIONS (Unit : mm)encapsulated into new hermetic stripline packages, "micro X".These are designed for small signal amplifier, low noise amplifier,1and oscillator applications in the L to
2sc4185 2sc2148 ne73430 ne73435.pdf
NPN SILICON GENERAL NE734PURPOSE TRANSISTOR SERIESFEATURES LOW NOISE FIGURE:
2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdf
NEC's NPN SILICON HIGH NE021FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,2 GHz Gain CompressionDESCRIPTION00 (CHIP) 07/07BNEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-nomical solutions to wide ranges of amplifier a
2sc2149.pdf
2SC2149NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC2149 is Designed for PACKAGE STYLE .085 4LPILL Oscillator and Amplifier Applications up to 2.0 GHz.FEATURES INCLUDE: High insertion gain. High power gain. Low Noise figure MAXIMUM RATINGS IC 70 mA VCBO 25 V VCEO 12 V VEBO 3.0 V PDISS 3.3 W @ TA = 25 C TJ -65 C to +200 C TSTG -65 C to +2
2sc2140.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2140DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 350V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
