Биполярный транзистор 2N1785 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1785
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.045 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO9
Другие транзисторы... 2N1769 , 2N1779 , 2N178 , 2N1780 , 2N1781 , 2N1782 , 2N1783 , 2N1784 , 2SD669 , 2N1786 , 2N1787 , 2N1788 , 2N1789 , 2N179 , 2N1790 , 2N18 , 2N180 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050