Справочник транзисторов. 2SC2256

 

Биполярный транзистор 2SC2256 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2256
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC2256

 

 

2SC2256 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:71K  panasonic
2sc2258.pdf

2SC2256
2SC2256

Power Transistors2SC2258Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage general amplificationUnit: mm8.0+0.50.13.20.2 3.160.1 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings Ta

 8.2. Size:166K  jmnic
2sc2258.pdf

2SC2256
2SC2256

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258 DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS For high breakdown voltage general amplification For video output amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum

 8.3. Size:146K  jmnic
2sc2258a.pdf

2SC2256
2SC2256

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258A DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS High voltage general amplifier TV video output amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMB

 8.4. Size:189K  inchange semiconductor
2sc2258.pdf

2SC2256
2SC2256

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2258DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 250V(Min)(BR)CEOHigh Current-Gain Bandwidth ProductMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor high breakdown voltage general amplificationFor video output amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 8.5. Size:116K  inchange semiconductor
2sc2258a.pdf

2SC2256
2SC2256

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258A DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS High voltage general amplifier TV video output amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top