Справочник транзисторов. 2SC2258BO

 

Биполярный транзистор 2SC2258BO Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC2258BO
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SC2258BO

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2258BO Datasheet (PDF)

 7.1. Size:71K  panasonic
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2258BO

Power Transistors2SC2258Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage general amplificationUnit: mm8.0+0.50.13.20.2 3.160.1 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings Ta

 7.2. Size:166K  jmnic
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2258BO

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258 DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS For high breakdown voltage general amplification For video output amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum

 7.3. Size:146K  jmnic
 2sc2258a.pdf pdf_icon

2SC2258BO

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2258A DESCRIPTION With TO-126 package High transition frequency fT High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS High voltage general amplifier TV video output amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMB

 7.4. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc2258.pdf pdf_icon

2SC2258BO

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2258DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 250V(Min)(BR)CEOHigh Current-Gain Bandwidth ProductMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor high breakdown voltage general amplificationFor video output amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC2257 , 2SC2257A , 2SC2258 , 2SC2258A , 2SC2258AO , 2SC2258AR , 2SC2258AY , 2SC2258B , 13005 , 2SC2258BY , 2SC2258O , 2SC2258R , 2SC2258Y , 2SC2259 , 2SC226 , 2SC2260 , 2SC2261 .

 

 
Back to Top

 


 
.