2SC2295 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2295  📄📄 

Маркировка: VB_VC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO236

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2295

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2295 даташит

 ..1. Size:51K  panasonic
 2sc2295.pdf pdf_icon

2SC2295

Transistor 2SC2295 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SA1022 +0.2 2.8 0.3 +0.25 Features 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag

 ..2. Size:51K  panasonic
 2sc2295 e.pdf pdf_icon

2SC2295

Transistor 2SC2295 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SA1022 +0.2 2.8 0.3 +0.25 Features 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag

 ..3. Size:1104K  kexin
 2sc2295.pdf pdf_icon

2SC2295

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC2295 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features High transition frequency fT. Complementary to 2SA1022 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collector - Emitter Volt

 8.1. Size:169K  toshiba
 2sc2290.pdf pdf_icon

2SC2295

2SC2290 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2290 2 30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) Unit in mm Specified 12.5V, 28MHz Characteristics Output Power Po = 60W (Min.) PEP Power Gain Gp = 11.8dB (Min.) Collector Efficiency C = 35% (Min.) Intermodulation Distortion IMD = -30dB (Max.) MAXIMUM RATINGS (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2289, 2SC2289M, 2SC229, 2SC2290, 2SC2291, 2SC2292, 2SC2293, 2SC2294, C5198, 2SC2296, 2SC2297, 2SC2298, 2SC2298A, 2SC2298B, 2SC2298C, 2SC2299, 2SC23