2SC233. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC233

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC233

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC233 даташит

 0.1. Size:116K  nec
2sc2334.pdfpdf_icon

2SC233

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC2334 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC2334 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATION switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching Part No. Package regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. 2SC2334 TO-220AB FEATURES Low c

 0.2. Size:118K  nec
2sc2335.pdfpdf_icon

2SC233

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC2335 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING The 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATION high-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices such Part No. Package as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power 2SC2335 TO-220AB amplif

 0.3. Size:194K  nec
2sa1006-a-b 2sc2336-a-b 2sa1006 2sa1006a 2sa1006b 2sc2336 2sc2336a2sc2336b 1.pdfpdf_icon

2SC233

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.4. Size:265K  nec
2sc2331.pdfpdf_icon

2SC233

Другие транзисторы: 2SC2324K, 2SC2325, 2SC2326, 2SC2327, 2SC2328, 2SC2328AO, 2SC2328AY, 2SC2329, 13005, 2SC2330, 2SC2330O, 2SC2330R, 2SC2330Y, 2SC2331, 2SC2331O, 2SC2331R, 2SC2331Y