Справочник транзисторов. 2SC2335Y

 

Биполярный транзистор 2SC2335Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2335Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SC2335Y

 

 

2SC2335Y Datasheet (PDF)

3.1. 2sc2335f.pdf Size:201K _update

2SC2335Y
2SC2335Y

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) ·Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A ·Switching time-tf=1.0µs(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS ·Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

3.2. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

2SC2335Y
2SC2335Y

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC2335 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING The 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATION high-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices such Part No. Package as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power 2SC2335 TO-220AB amplifier

 3.3. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

2SC2335Y
2SC2335Y

A A A

3.4. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

2SC2335Y
2SC2335Y

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) ·Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A ·Switching time-tf=1.0?s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS ·Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive circuit

 3.5. 2sc2335.pdf Size:167K _inchange_semiconductor

2SC2335Y
2SC2335Y

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-220C package Ў¤ Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Ў¤ Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Ў¤ Switching time-tf=1.0¦М s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Ў¤ Designed for use in high-voltage ,highspeed ,power switching in inductive c

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top