2SC245. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC245

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC245

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC245 даташит

 ..1. Size:176K  inchange semiconductor
 2sc245.pdf pdf_icon

2SC245

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC245 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 120 V CBO V

 0.1. Size:176K  toshiba
 2sc2458.pdf pdf_icon

2SC245

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit mm Low Noise Audio Amplifier Applications High current capability IC = 150 mA (max) High DC current gain h = 70 700 FE Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)

 0.2. Size:340K  toshiba
 2sc2458l.pdf pdf_icon

2SC245

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit mm Low Noise Audio Amplifier Applications High current capability IC = 150 mA (max) High DC current gain h = 70 700 FE Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)

 0.3. Size:226K  toshiba
 2sc2459.pdf pdf_icon

2SC245

2SC2459 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2459 Audio Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage VCEO = 120 V (max) High DC current gain h = 200 700 FE Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1049. Small package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2441, 2SC2442, 2SC2443, 2SC2444, 2SC2445, 2SC2447, 2SC2448, 2SC2449, A1015, 2SC2450, 2SC2451, 2SC2452, 2SC2453, 2SC2454, 2SC2455, 2SC2456, 2SC2458