Биполярный транзистор 2SC2455 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC2455
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO131
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC2455 Datasheet (PDF)
2sc2458.pdf

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit: mmLow Noise Audio Amplifier Applications High current capability: IC = 150 mA (max) High DC current gain: h = 70~700 FE Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)
2sc2458l.pdf

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit: mm Low Noise Audio Amplifier Applications High current capability: IC = 150 mA (max) High DC current gain: h = 70~700 FE Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)
2sc2459.pdf

2SC2459 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2459 Audio Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 120 V (max) High DC current gain: h = 200~700 FE Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1049. Small package
2sc2458-y.pdf

MCCMicro Commercial ComponentsTM2SC2458-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates NPNCompliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulate Moisture Sensitivity Level 1 Power diss
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BDB01B | TG51 | BSP62T1 | 3CD6D | 2N3461 | BC304-5 | 2SB423
History: BDB01B | TG51 | BSP62T1 | 3CD6D | 2N3461 | BC304-5 | 2SB423



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor