Биполярный транзистор 2SC2493 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2493
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO3
2SC2493 Datasheet (PDF)
2sc2498.pdf
2SC2498 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2498 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO 20 VEmitter-base voltage VEBO 3 VCollector current IC 50 mABase current IB 25 mACollector power dissipation PC 300
2sc2497.pdf
Power Transistors2SC2497, 2SC2497ASilicon NPN epitaxial planar typeUnit: mmFor low-frequency power amplification8.0+0.50.13.20.2Complementary to 2SA1096 and 2SA1096A 3.160.1 Features High collector to emitter voltage VCEO TO-126B package which requires no insulation plate for installa-tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings TC = 25CParameter
2sc2497 2sc2497a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2497 2SC2497A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1096/A High collector to emitter voltage VCEO APPLICATIONS For low-frequency power amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
