Справочник транзисторов. 2SC2531

 

Биполярный транзистор 2SC2531 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2531
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3
   Корпус транзистора: TO51

 Аналоги (замена) для 2SC2531

 

 

2SC2531 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:185K  toshiba
2sc2532.pdf

2SC2531
2SC2531

2SC2532 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2532 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage for LED Lamp Applications Temperature Compensation Applications High hFE: hFE (1) = 5000 (min) (IC = 10 mA) h (2) = 10000 (min) (IC = 100 mA) FEMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base

 8.2. Size:810K  kexin
2sc2532.pdf

2SC2531
2SC2531

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2532SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=300mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=40V+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 40 Collect

 8.3. Size:172K  inchange semiconductor
2sc2535.pdf

2SC2531
2SC2531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2535DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.4. Size:184K  inchange semiconductor
2sc2534.pdf

2SC2531
2SC2531

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2534DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed high voltage switching applicationSwitching regulator applicationsHigh speed DC-DC converter applicatio

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC2578

 

 
Back to Top